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特羅半導(dǎo)體

特羅半導(dǎo)體:成立于2011年1月,是射頻(RF)和電源管理應(yīng)用硅上氮化鎵(GaN-on-Si)半導(dǎo)體技術(shù)的先驅(qū)。先進(jìn)的專有技術(shù)和設(shè)備以高昂的價格顯著降低了系統(tǒng)解決方案的復(fù)雜性、尺寸、重量和功耗,與Silicon解決方案相比,功率轉(zhuǎn)換性能顯著提高。特羅半導(dǎo)體是一家無晶圓廠半導(dǎo)體公司總部位于美國芝加哥,在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計中心。特羅半導(dǎo)體的研發(fā)團(tuán)隊致力于開發(fā)利用寬帶隙技術(shù)的顛覆性解決方案,幫助客戶解決射頻和電源設(shè)計挑戰(zhàn),并加快從5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施到消費者、汽車、國防和安全等廣泛應(yīng)用的上市時間。特羅半導(dǎo)體與領(lǐng)先的半導(dǎo)體鑄造廠和組裝廠合作,提供優(yōu)質(zhì)和久經(jīng)考驗的產(chǎn)品。主要產(chǎn)品:功率放大器;射頻開關(guān);GaN晶體管低噪放大器線性驅(qū)動器;增益模塊;GaN功率晶體管。型號:TS8021N;TS8423K1;TS8728N;TS8729N;TS86436P。


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